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參數資料
| 型號： | BUV21 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | High Current NPN Silicon Transistors(高電流NPN硅晶體管) |
| 中文描述： | 大電流NPN硅晶體管（高電流npn型硅晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | BUV21 |
BUV20
BUV21
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPES
I
NPN TRANSISTOR
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
FAST SWITCHING SPEED
I
HIGH RUGGEDNESS
APPLICATIONS
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
I
SWITCHING REGULATORS
DESCRIPTION
The BUV20 and BUV21 are silicon multiepitaxial
planar NPN transistor in jedec TO-3 metal case,
intended for use in switching and linear
applications in military and industrial equipment.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
July 1997
1
2
TO-3
(version "S")
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BUV20
160
150
160
125
7
50
60
10
BUV21
250
240
250
200
7
40
50
8
V
CBO
V
CER
V
CEX
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (R
BE
= 100
)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= -1.5V)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
≤
25
o
C
Storage Temperature
Junction Temperature
V
V
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
250
-65 to 200
200
1/4
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參數描述 |
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