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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUT102 |
| 英文描述： | 3.3V range 8-bit MCU for automotive with 16/32 Kbyte Flash or 16 Kbyte ROM, 10-bit ADC, 4 timers, SPI and SCI interfaces |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 300V五（巴西）總裁| 50A條一（c）|至3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | BUT102 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUT11AFI | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| BUT11A | Silicon diffused power transistors |
| BUT11APX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUT11FI | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| BUT11 | NPN SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING APPLICATIONS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUT11 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11/B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUT11A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11A,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB |
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