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參數資料
| 型號： | BUT11APX-1200 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN power transistor |
| 封裝： | BUT11APX-1200<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<week 32, 2004,; |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | BUT11APX-1200 |
D
D
ATA SHEET
Product
s
pecification
April 1999
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUT11APX-1200
Silicon Diffused Power Transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUT12A | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
| BUT56A | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE) |
| BUT56A | POWER TRANSISTORS |
| BUT72 | NPN MULTI-EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |
| BUV22 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUT11APX-1200,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11APX-1200/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BUT11AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11F | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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