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參數資料
| 型號： | BUX84F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | BUX84F |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 14
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUX84F; BUX85F
Silicon diffused power transistors
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUX85 | Silicon diffused power transistors |
| BUX85 | SWITCHMODE SERIES NPN POWER TRANSISTORS |
| BUX85 | POWER TRANSISTORS(2A,400-450V,40W) |
| BUX86P | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BUX87P | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUX84S | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN high voltage Power transistor |
| BUX84-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUX85 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUX85,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX85/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUX85 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB |
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