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參數資料
| 型號： | BYV32E-200 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Dual ultrafast power diode |
| 封裝： | BYV32E-200<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | BYV32E-200 |
BYV32E-200
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V
Rev. 04 — 27 February 2009
Product data sheet
1.
Product profile
1.1 General description
Ultrafast dual epitaxial rectifier diode in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.
1.2 Features and benefits
High reverse voltage surge capability
High thermal cycling performance
Low thermal resistance
Soft recovery characteristic minimizes
power consuming oscillations
Very low on-state loss
1.3 Applications
Output rectifiers in high-frequency
switched-mode power supplies
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol Parameter
V
RRM
repetitive peak
reverse voltage
I
O(AV)
average output
current
Quick reference
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
200
Unit
V
square-wave pulse;
δ
= 0.5;
T
mb
≤
115 °C; both diodes
conducting; see
Figure 1
;
see
Figure 2
t
p
= 2 μs;
δ
= 0.001
-
-
20
A
I
RRM
repetitive peak
reverse current
electrostatic
discharge voltage
-
-
0.2
A
V
ESD
HBM; C = 250 pF; R = 1.5
k
; all pins
-
-
8
kV
Dynamic characteristics
t
rr
reverse recovery
time
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V;
dI
F
/dt = 100 A/μs;
T
j
= 25 °C; ramp recovery;
see
Figure 5
I
R
= 1 A; I
F
= 0.5 A;
T
j
= 25 °C; step recovery;
measured at reverse current
= 0.25 A; see
Figure 6
-
20
25
ns
-
10
20
ns
Static characteristics
V
F
forward voltage
I
F
= 8 A; T
j
= 150 °C; see
Figure 4
-
0.72
0.85
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV32EB-200 | Dual ultrafast power diode |
| BYV32G-200 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34-400 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34-600 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34G-600 | Dual ultrafast power diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BYV32E-200,127 | 功能描述:整流器 FAST DUAL 20A 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BYV32E-200 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ULTRA FAST 2X10A |
| BYV32E-200127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier Array |
| BYV32E-200PQ | 功能描述:DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:850mV @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 工作溫度 - 結:175°C（最大） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 |
| BYV32EB | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes ultrafast, rugged |
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