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參數資料
| 型號： | BZW03-C68/21112 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | BZW03-C68/21112 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW03-C68/33112 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C68/33113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C47/22133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C51/21113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C200/40133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BZW03C68-TAP | 功能描述:穩壓二極管 68 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZW03C68-TR | 功能描述:穩壓二極管 68 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZW03C6V8 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes with Surge Current Specification |
| BZW03C6V8-TAP | 功能描述:穩壓二極管 6.8 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZW03C6V8-TR | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ZENER DIODE SOD64-E2 |
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