- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369648 > BZX85B20 (Vishay Intertechnology,Inc.) Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BZX85B20 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | BZX85B20 |
BZX85C6V2GP........BZX85C220GP
1.3 W Glass Passivated Zener Diodes
Glass Passivated Junction
The plastic material carries
U/L recognition 94 V-0
Terminals: Axial Leads
Polarity: Color band denotes cathode
Mounting instructions
1. Min. distance from body to soldering point,
4 mm.
2. Max. solder temperature, 350 °C.
3. Max. soldering time, 3.5 sec.
4. Do not bend lead at a point closer than
2 mm. to the body.
Dimensions in mm.
DO-41
(Plastic)
Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134
Power dissipation at Tamb = 25
o
C
Operating temperature range
Storage temperature range
P
tot
T
j
T
stg
1.3 W
– 55 to + 175 °C
– 55 to + 175 °C
Electrical Characteristics at Tamb = 25 °C
V
F
Max. forward voltage drop at I
F
= 0.2 A
R
thj-a
Max. thermal resistance at 10 mm.
lead length
1.0 V
60 °C/W
Standard Voltage Tolerance is ± 5%
58.5
±0.5
5
± 0.2
Voltage
6.2 to 220 V
Power
1.3 W
Nov - 02
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZX85B22 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZX85C51 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZX85C20 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZX85C30 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZX85B3V0 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BZX85B20 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 20V |
| BZX85B20-TAP | 功能描述:穩壓二極管 20 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX85B20-TR | 功能描述:穩壓二極管 20 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX85B22 | 功能描述:穩壓二極管 22 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX85B22 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 22V |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。