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CEDM8004 BK

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CEDM8004 BK PBFREE
    CEDM8004 BK PBFREE

    CEDM8004 BK PBFREE

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：駱小姐

    電話：18124020586

    地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A

  • 99457

  • Central Semiconductor Cor

  • SC-101, SOT-883

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • CEDM8004 BK
    CEDM8004 BK

    CEDM8004 BK

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生

    電話：137602720171852080514813487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 37282

  • Central Semiconductor

  • SOT-883L

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CEDM8004 BK PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 450mA（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 0.88nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 55pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 100mW
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SC-101，SOT-883
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOT-883
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
CEDM8004 BK 技術(shù)參數(shù)
  • CEDM8001VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM8001 BK 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 CEDM7004VL TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:450mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.78A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G CEFA104-G CEFA105-G CEFA201-G
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