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CEDS0524V-G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CEDS0524V-G
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
91000
Comchip
SMD
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CEDS0524V-G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Comchip
SMD
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨！

CEDS0524V-G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
99712
Comchip Technology
SC-74A, SOT-753
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

CEDS0524V-G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Comchip Technology
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： CEDS055V0-G CEE0.6100.151 CEE2X34PF-102FELF CEE2X60PF102PY4 CEE2X60PF102PY4LF CEE2X66PF102FELF CEE2X90PF154FELF CEE2X92PF-102PY4 CEE2X92PF-102PY4LF

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功能描述
TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 IC ESD/RVS SUPPRESS 4CH
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
極性
Bidirectional
工作電壓
擊穿電壓
58.9 V
鉗位電壓
77.4 V
峰值浪涌電流
38.8 A
系列
封裝 / 箱體
DO-214AB
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C

CEDS0524V-G 技術參數

CEDM8004VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883VL 標準包裝:1 CEDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883VL 標準包裝:1 CEDM8004 BK 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883 標準包裝:5,000 CEDM8001VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883VL 標準包裝:1 CEDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:SOT-883 標準包裝:1 CEE2X92PF-153PY4 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G CEFA104-G CEFA105-G CEFA201-G CEFA202-G CEFA203-G CEFB101-G