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CMZ20(TE12L

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  • CMZ20(TE12L,Q,M)
    CMZ20(TE12L,Q,M)

    CMZ20(TE12L,Q,M)

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 45

  • TOSHIBA

  • con

  • 24+

  • -
  • 二極管

  • CMZ20(TE12LQ)
    CMZ20(TE12LQ)

    CMZ20(TE12LQ)

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Toshiba

  • 原封裝

  • 最新批號

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  • CMZ20(TE12L
    CMZ20(TE12L

    CMZ20(TE12L

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 0

  • M)

  • TOSHIBA

  • 5000

  • -
  • 1521+

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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CMZ20(TE12L 技術參數
  • CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ16(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):16V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ15(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):15V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 10V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ13(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):13V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ12(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ5919B BK CMZ5919B TR13 CMZ5920B BK CMZ5920B TR13 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13
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