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CMZ5350B TR13

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  • CMZ5350B TR13
    CMZ5350B TR13

    CMZ5350B TR13

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 96000

  • Central

  • SMC

  • 22+

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  • CMZ5350B TR13
    CMZ5350B TR13

    CMZ5350B TR13

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Central

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  • CMZ5350B TR13
    CMZ5350B TR13

    CMZ5350B TR13

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • CENTRAL SEMICONDUCTOR

  • 主營優勢

  • 1834

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  • 1
CMZ5350B TR13 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Central Semiconductor Corp
  • 功能描述
  • Surface mount Diode-Zener Single
CMZ5350B TR13 技術參數
  • CMZ5348B TR13 功能描述:Zener Diode 11V 2W ±5% Surface Mount SMC 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB,SMC 供應商器件封裝:SMC 標準包裝:1 CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT(2.4x3.8) 標準包裝:3,000 CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13 CMZ5931B BK
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