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CPC3730C

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
CPC3730C PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 固態繼電器-PCB安裝 N Channel Depletion Mode FET, 250V SOT-89
  • RoHS
  • 制造商
  • Omron Electronics
  • 控制電壓范圍
  • 負載電壓額定值
  • 40 V
  • 負載電流額定值
  • 120 mA
  • 觸點形式
  • 1 Form A (SPST-NO)
  • 輸出設備
  • MOSFET
  • 封裝 / 箱體
  • USOP-4
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
CPC3730C 技術參數
  • CPC3720C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):350V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):22 歐姆 @ 130mA,0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:200 CPC3714C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):350V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 240mA,0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:200 CPC3710CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 220mA,0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 CPC3710C 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 220mA,0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:200 CPC3708ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):350V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 50mA,350mV 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):300pF @ 0V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-40°C ~ 110°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 CPC5001G CPC5001GS CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR CPC5610A CPC5610ATR CPC5611A CPC5611ATR CPC5620A
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