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CPH6122-TL-ESANYO

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CPH6122-TL-ESANYO PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CPH6122-TL-ESANYO 技術參數

CPH6122-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:180mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6121-TL-E 功能描述:TRANS PNP 12V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:165mV @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:380MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 1A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6071-TL-E 功能描述:TRANS PNP/NPN 20V 0.3MA CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN，PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:2.2GHz，1.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:900mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，5V / 15 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6021-TL-H 功能描述:RF Transistor NPN 12V 100mA 10GHz 700mW Surface Mount 6-CPH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:14dB @ 1GHz 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 50mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6341-TL-E CPH6341-TL-W CPH6347-TL-H CPH6347-TL-W CPH6350-P-TL-E CPH6350-TL-E CPH6350-TL-W CPH6354-TL-H CPH6354-TL-W CPH6355-TL-H CPH6355-TL-W CPH6411-TL-E CPH6429-TL-E CPH6434-TL-E CPH6442-TL-E CPH6442-TL-W CPH6443-P-TL-H CPH6443-TL-H