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CSD16323Q3C

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說明
操作

CSD16323Q3C
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
42142
Texas Instruments
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

CSD16323Q3C
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
TI
SON
最新批次
-
百分百原裝質量保障

CSD16323Q3C
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
69800
TI
近兩年生產
8-TDFN
-
每一片都來自原廠

CSD16323Q3C
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
12920
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現貨

CSD16323Q3C
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
7505
TI
SON8
13+
-
原裝正品現貨庫存

CSD16323Q3C
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
2500
TI
VSON
1301+
-
原廠特價貨源

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功能描述
MOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD16323Q3C 技術參數

CSD16323Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 24A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD16322Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 97A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），97A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1365pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON 標準包裝:1 CSD16322Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），97A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1365pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16321Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON-EP（5x6）標準包裝:1 CSD16321Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16401Q5T CSD16403Q5A CSD16404Q5A CSD16406Q3 CSD16407Q5 CSD16407Q5C CSD16408Q5 CSD16408Q5C CSD16409Q3 CSD16410Q5A CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B

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