欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > C字母型號搜索 > C字母第4784頁 >

CSD16327Q3T

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD16327Q3T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
0
Ti
(DQG)
21
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： CSD16340Q3 CSD16340Q3T CSD16342Q5A CSD163CEVM-591 CSD16401Q5 CSD16401Q5T CSD16403Q5A CSD16404Q5A CSD16406Q3

CSD16327Q3T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CSD16327Q3T PDF下載

功能描述
CSD16327Q3T
制造商
texas instruments
系列
*
零件狀態
在售
標準包裝
1

CSD16327Q3T 技術參數

CSD16327Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 24A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD16325Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 30A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON-EP（5x6）標準包裝:1 CSD16325Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 30A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16323Q3C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 24A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON 裸露焊盤（3x3）標準包裝:1 CSD16323Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 24A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD16407Q5 CSD16407Q5C CSD16408Q5 CSD16408Q5C CSD16409Q3 CSD16410Q5A CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5