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CSD18512Q5BT

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操作

CSD18512Q5BT
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TI/德州儀器
NA
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

CSD18512Q5BT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
0
Ti
(DNK)
21
-
瑞智芯只有原裝

CSD18512Q5BT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29300
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

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CSD18512Q5BT 技術參數

CSD18512Q5B 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:211A (Tc) 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7120pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:139W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSON-CLIP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18511Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:159A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:63nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:104W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 24A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSONP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18511KTTT 功能描述:40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:110A（Ta），194A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5940pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:188W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標準包裝:1 CSD18510Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:156W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.96 毫歐 @ 32A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSON-CLIP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18510KTTT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:274A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:132nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標準包裝:1 CSD18532Q5B CSD18532Q5BT CSD18533KCS CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B