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CSD25501F3T

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯系人:優質現貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區振興路上步商務中心大廈205棟5A10

    資質:營業執照

  • 53209

  • Texas Instruments

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 優勢代理,公司現貨可開票

  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 321161

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 321161

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321161

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

  • 321161

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業執照

  • 4250

  • Ti

  • (YJN)

  • 21

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD25501F3T
    CSD25501F3T

    CSD25501F3T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29100

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 功能描述
  • 20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • FemtoFET?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • P 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 3.6A(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 1.8V,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.05V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 1.33nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)
  • -20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 385pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 500mW(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 76 毫歐 @ 400mA,4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 3-LGA(0.73x0.64)
  • 封裝/外殼
  • 3-XFLGA
  • 標準包裝
  • 1
CSD25501F3T 技術參數
  • CSD25485F5 功能描述:20V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.2A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):-12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):533pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 900mA,8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD25484F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):94 毫歐 @ 500mA,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD25484F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.42nC @ 4.5V Vgs(最大值):-12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):94 毫歐 @ 500mA,8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD25483F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):205 毫歐 @ 500mA,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.96nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD25483F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):205 毫歐 @ 500mA,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.959nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M CSD44V CSD46V CSD4-7152/39-26-1A CSD4-7152/39-26-3A CSD4-7152/39-26-4A CSD4-7152/39-26-5A CSD4-7152/39-26-7A CSD4-7152/39-29-5B
配單專家

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