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CSD302410

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  • 制造商
  • Pentair Technical Products / Hoffman
  • 功能描述
  • ENCLOSURE, WALL MOUNT, STEEL, GRAY; Enclosure Type
CSD302410 技術參數
  • CSD30208 功能描述:BOX STEEL GRAY 30"L X 20"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態:在售 容器類型:盒 大小/尺寸:30.000" 長 x 20.000" 寬(762.00mm x 508.00mm) 高度:7.992"(203.00mm) 面積(L x W):600 in2(3871 cm2) 設計:鉸鏈式門,蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:16 號 特性:密封墊,壁裝 等級:IP66,NEMA 4,12,13,UL-508A 材料可燃性等級:- 發貨信息:從 Digi-Key 運送 重量:44 磅(20kg) 標準包裝:1 CSD25501F3T 功能描述:20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.6A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.33nC @ 4.5V Vgs(最大值):-20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):385pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):76 毫歐 @ 400mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-LGA(0.73x0.64) 封裝/外殼:3-XFLGA 標準包裝:1 CSD25485F5 功能描述:20V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.2A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):-12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):533pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 900mA,8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD25484F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):94 毫歐 @ 500mA,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD25484F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.42nC @ 4.5V Vgs(最大值):-12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):94 毫歐 @ 500mA,8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M CSD44V CSD46V CSD4-7152/39-26-1A CSD4-7152/39-26-3A CSD4-7152/39-26-4A CSD4-7152/39-26-5A CSD4-7152/39-26-7A CSD4-7152/39-29-5B CSD4PC CSD56 CSD56V CSD58V
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