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CURFS06F04HBG1

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CURFS06F04HBG1 技術參數

CURC307-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURC304-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURC303-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURB207-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURB204-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURFS08F04HBB1 CURFS08F04HBG1 CURFS08F04HBW1 CURFS08F06HBB1 CURFS08F06HBG1 CURFS08F06HBW1 CURM101-G CURM102-G CURM103-G CURM104-G CURM105-G CURM106-G CURM107-G CURMT101-HF CURMT102-HF CURMT103-HF CURMT104-HF CURMT105-HF