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參數資料
型號: CM100TF28H
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C)
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 1.4KV五(巴西)國際消費電子展| 100號A一(c)
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 93K
代理商: CM100TF28H
Mar.2003
C1
E2
C2E1
E
LABEL
3-M5 NUTS
2-
φ
6.5 MOUNTING HOLES
TAB #110. t=0.5
17
4
1
94
23
23
17
2
+
2
7
16
7
16
7
16
80
±
0.25
4
1
4
12
12
12
E
G
4
2
(
C2E1
E2
E
G
C1
CIRCUIT DIAGRAM
Tc measured point (Base plate)
CM100DY-24NF
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
100A
V
CES .........................................................
1200V
Insulated Type
2-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關PDF資料
PDF描述
CM100DY-24NF HIGH POWER SWITCHING USE
CM100TF-24 SOCKET,PLCC,32 PIN
CM100TF-24H 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
CM100E3U-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100E3U-12H Chopper IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts
相關代理商/技術參數
參數描述
CM100TF-28H 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 100A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM100TJ-12F 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design 100 Amperes/600 Volts
CM100TJ-24F 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/1200 Volts
CM100TL-12NF 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 100A NF SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM100TL-12NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
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