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參數資料
型號: CM150DU-24F
廠商: POWEREX INC
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 150 Amperes/1200 Volts
中文描述: 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-7
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 73K
代理商: CM150DU-24F
Aug. 1999
CM150DU-24F
RTC
RTC
CIRCUIT DIAGRAM
C2E1
E2
C1
G
E
E
G
E
E
G
CM
C1
E2
C2E1
LABEL
4-
φ
6. 5 MOUNTING HOLES
3-M6 NUTS
108
2
+
6
18
7
18
7
18
8
2
4
93
±
0.25
4
±
0
2.8
4
7
6
1
6
0.5
0.5
0.5
0.5
14
14
14
25
2.5
21.5
25
Tc measured point
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM150DU-24F
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
150A
V
CES .........................................................
1200V
Insulated Type
2-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關PDF資料
PDF描述
CM150DU-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150DU-24H Dual IGBTMOD 150 Amperes/1200 Volts
CM150DY-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150DY-12H Dual IGBTMOD 150 Amperes/600 Volts
CM150DY-12NF HIGH POWER SWITCHING USE
相關代理商/技術參數
參數描述
CM150DU-24F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM150DU-24H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM150DU-24H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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CM150DU-24NFH_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
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