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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CM200DU-24F |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE |
| 中文描述： | 大功率開關(guān)使用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | CM200DU-24F |
Aug. 1999
CM200DU-24F
RTC
RTC
CIRCUIT DIAGRAM
C2E1
E2
C1
G
E
E
G
E
E
G
CM
C1
E2
C2E1
LABEL
4-
φ
6. 5 MOUNTING HOLES
3-M6 NUTS
108
2
+
–
6
18
7
18
7
18
8
2
4
93
±
0.25
4
±
0
2.8
4
7
6
1
6
0.5
0.5
0.5
0.5
14
14
14
25
2.5
21.5
25
Tc measured point
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200DU-24F
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
200A
V
CES .........................................................
1200V
Insulated Type
2-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM200DU-24F | Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 200 Amperes/1200 Volts |
| CM200DU-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM200DU-24H | Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts |
| CM200DU-24NFH | HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM200DY-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CM200DU-24F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM200DU-24H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A U SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| CM200DU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM200DU-24NFH | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A NFH SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| CM200DU-24NFH_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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