型號: | CM600DY-12NF |
廠商: | Mitsubishi Electric Corporation |
英文描述: | HIGH POWER SWITCHING USE |
中文描述: | 大功率開關使用 |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大小: | 266K |
代理商: | CM600DY-12NF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CM600DY-24A | HIGH POWER SWITCHING USE |
CM600HA-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM600HA-12H | Single IGBTMOD 600 Amperes/600 Volts |
CM600HA-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM600HA-24H | Single IGBTMOD H-Series Module 600 Amperes/1200 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CM600DY-12NF_03 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
CM600DY-12NF_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
CM600DY-24A | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 600A A SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
CM600DY-24A_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
CM600DY-24S | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT HALF BRIDGE 1200V 600A MOD 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 600A; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:4.05kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |