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參數資料
| 型號： | CM75TF-24H |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 大功率開關使用絕緣型 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | CM75TF-24H |
Sep.1998
H
D
X
B
S
V
U
K
J
T
R
G
F
L
P
C
A
AA
M
AA
M
M
P
N
GuP
EuP
U
GuN
EuN
GvP
EvP
V
GvN
EvN
GwP
EwP
W
GwN
EwN
P
N
P
P
N
N
U
V
W
G
u
P
G
v
P
G
w
P
G
u
N
G
v
N
G
w
N
E
u
P
E
v
P
E
w
P
E
u
N
E
v
N
E
w
N
X
X
TAB #110, t = 0.5
Q
Q
N
Z - M5 THD
(7 TYP.)
Y - DIA.
(4 TYP.)
E
M
Dimensions
Inches
Millimeters
A
4.21
107.0
B
4.02
102.0
C
3.543
±
0.01
3.15
±
0.01
90.0
±
0.25
80.0
±
0.25
D
E
2.01
51.0
F
1.38
35.0
G
1.28
32.5
H
1.26 Max.
32.0 Max
J
1.18
30.0
K
0.98
25.0
L
0.96
24.5
M
0.79
20.0
N
0.67
17.0
Description:
Mitsubishi IGBT Modules are de-
signed for use in switching applica-
tions. Each module consists of six
IGBTs in a three phase bridge con-
figuration, with each transistor hav-
ing a reverse-connected super-fast
recovery free-wheel diode. All
components and interconnects are
isolated from the heat sinking
baseplate, offering simplified sys-
tem assembly and thermal man-
agement.
Features:
u
Low Drive Power
u
Low V
CE(sat)
u
Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
u
High Frequency Operation
u
Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Applications:
u
AC Motor Control
u
Motion/Servo Control
u
UPS
u
Welding Power Supplies
Ordering Information:
Example: Select the complete part
module number you desire from
the table below -i.e. CM75TF-24H
is a 1200V (V
CES
), 75 Ampere
Six-IGBT Module.
Type
Current Rating
Amperes
V
CES
Volts (x 50)
CM
75
24
Dimensions
Inches
Millimeters
P
0.57
14.5
Q
0.55
14.0
R
0.47
12.0
S
0.43
11.0
T
0.39
10.0
U
0.33
8.5
V
0.30
7.5
X
0.24
6.0
Y
0.22
5.5
Z
M5 Metric
M5
AA
0.08
2.0
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM75TF-24H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
Outline Drawing and Circuit Diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM75TF-24H | Six-IGBT IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts |
| CM75TF-28H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75TF-28H | Six-IGBT IGBTMOD 75 Amperes/1400 Volts |
| CM75TU-12F | HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM75TU-12F | Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/600 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM75TF-28H | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1400V 75A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75TJ-24F | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts |
| CM75TL-12NF | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 75A NF SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75TL-24NF | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 75A NF SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75TL-24NF_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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