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參數資料
| 型號： | CM75TU-12F |
| 廠商： | POWEREX INC |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/600 Volts |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | CM75TU-12F |
Aug. 1999
CM75TU-12F
1
4–
φ
5.5
MOUNTING HOLES
102
80
±
0.25
20
10
10
7
±
0
9
3
1
1
GuP
EuP
GvP
EvP
GwP
EwP
GuN
EuN
GvN
EvN
GwN
EwN
P
N
CM
G
E
G
E
G
E
G
E
G
E
G
E
11
11
11
19.1
19.1
11.85
U
V
W
5–M4NUTS
11
19.1
2.8
7
2
8
11
19.1
3.05
11
4
10
20
10
10
20
LABEL
(4)
29
0
–0.5
CIRCUIT DIAGRAM
Tc measured point
Tc measured point
P
U
V
W
G
U
P
G
V
P
G
W
P
G
U
N
G
V
N
G
W
N
E
U
N
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V
N
E
W
N
N
E
U
P
E
V
P
E
W
P
RTC
RTC
RTC
RTC
RTC
RTC
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM75TU-12F
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C.....................................................................
75A
V
CES ............................................................
600V
Insulated Type
6-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM75TU-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75TU-12H | Six IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts |
| CM75TU-24F | HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM75TU-24F | Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts |
| CM75TU-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM75TU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM75TU-12H | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 75A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75TU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75TU-24F | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 75A F SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM75TU-24F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
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