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參數資料
| 型號： | CMBD2835 |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES |
| 中文描述： | 硅平面雙開關二極管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | CMBD2835 |
SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES
CMBD2835
CMBD2836
SOT-23
Formed SMD Package
Marking
CMBD2835 - A3
CMBD2836 - A2
High-Speed Switching Dual Diodes, Common Anode
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Reverse Voltage CMBD2835
CMBD2836
Forward Current
Total Device Dissipation T
a
=25oC *
Derate above 25
o
C
Thermal Resistance Junction to
Ambient
Total Device Dissipation T
a
=25oC **
Derate above 25
o
C
Thermal Resistance Junction to
Ambient
Junction and Storage Temperature
SYMBOL
V
R
UNIT
V
V
mA
mW
mW/
o
C
I
F
P
D
R
th(j-a)
o
C/W
P
D
mW
mW/
o
C
R
th(j-a)
o
C/W
T
j
, T
stg
o
C
* FR-5 Board=25.4 x 19.05 x 1.58 mm (1.0 x 0.75 x 0.062 inches)
** Alumina Substrate=10.16 x 7.62 x 0.61 mm (0.4 x 0.3 x 0.024 inches) 99.5% alumina.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25o C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Reverse Breakdown Voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITION MIN
I
R
=100
μ
A
CMBD2835
CMBD2836
CMBD2835
V
R
=30V
TYP
MAX
UNIT
35
75
V
V
Reverse Voltage Leakage Current
I
R
100
nA
CMBD2836
V
R
=50V
V
R
=0V, f=1MHz
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 100 mA
I
F
=I
R
=10mA, i
R(REC)
=1.0 mA
100
4.0
nA
pF
Diode Capacitance
C
T
V
F
Forward Voltage
1.0
1.0
1.2
V
V
V
Reverse Recovery Time
t
rr
4.0
ns
1.8
300
2.4
- 55 to +150
556
417
VALUE
35
75
100
225
Pin Configuration
1 =
2 =
3 =
ANODE
CATHODE
CATHODE
3
1
2
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMBD2836 | SILICON PLANAR DUAL SWITCHING DIODES |
| CMBD4150 | SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODE |
| CMBD4448 | SILICON PLANAR SWITCHING DIODE |
| CMBD914 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| CMBD99 | SILICON EPITAXIAL GENERAL SWITCHING DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CMBD2836 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Gen Pur Rect 50V, 100nA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| CMBD2836-T | 功能描述:穩壓二極管 75V 5ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| CMBD2836T/-W | 功能描述:穩壓二極管 75V 5ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| CMBD4148 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Gen Pur Rect 75V,Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| CMBD4148-T | 功能描述:穩壓二極管 75V Signal RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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