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參數資料
型號: CMBD4148
廠商: Continental Device India Limited
英文描述: SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODES
中文描述: 硅平面高速二極管外延
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 131K
代理商: CMBD4148
Continental Device India Limited
Data Sheet
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SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODES
CMBD1201, 1202, CMBD4148 are all single diodes
CMBD1203 is a dual diode, in series
CMBD1204 is a dual diode, common cathode
CMBD1205 is a dual diode, common anode
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (per diode)
Continuous reverse voltage
VR
max.
75 V
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
max.
100 V
Repetitive peak forward current
IFRM
max.
500 mA
Forward current
IF
max.
215 mA
Junction temperature
Tj
max.
150 ° C
Forward voltage at IF = 10 mA
VF
<
0.855 V
CMBD1201, CMBD1202, CMBD1203
CMBD1204, CMBD1205, CMBD4148
Marking
CMBD1201 – 24
CMBD1202 – 25
CMBD1203 – 26
PACKAGE OUTLINE DETAILS
ALL DIMENSIONS IN mm
3
1
2
CMBD1201
CMBD4148
CMBD1204 – 27
CMBD1205 – 28
CMBD4148 – 5H
2
1
CMBD1202
3
1
2
CMBD1203
3
1
2
3
CMBD1204
1
2
3
CMBD1205
SOT-23 Formed SMD Package
Continental Device India Limited
An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company
相關PDF資料
PDF描述
CMBT2222A-T
CMBT2907A-T
CMBT8050 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CMBT8050C NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CMBT8050D NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
CMBD4148-T 功能描述:穩壓二極管 75V Signal RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
CMBD4148T/-W 功能描述:穩壓二極管 75V Signal RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
CMBD4150 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH SPEED DIODE
CMBD4448 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:SILICON PLANAR SWITCHING DIODE
CMBD7000N3 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:High -speed double diode
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