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參數資料
| 型號： | CMBT3903 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 40V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|至236AA |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | CMBT3903 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMBT3904 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA |
| CMBT4123 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA |
| CMBT4124 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA |
| CMBT4125 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA |
| CMBT4126 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CMBT3904 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN,0.2A,40V GenPur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT3904E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMD Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBT3904E TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMBT3904E Series SOT-923 40V 200mA Surface Mount Bipolar Transistor |
| CMBT3904E_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| CMBT3904-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.2A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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