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參數資料
| 型號： | CMPT3640 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | CMPT3640 |
Ce nt ra l
S e m ico nd uct o r Co rp .
TM
168
SOT-23 CASE
CMPT3640
PNP SILICON TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
CMPT3640 type is an PNP silicon transistor
manufactured by the epitaxial planar process,
epoxy molded in a surface mount package,
designed for saturated switching applications.
Marking code is C2J.
CENTRAL
SEMICONDUCTOR
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
o
C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
UNITS
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
12
12
4.0
80
350
V
V
V
mA
mW
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
o
C
o
C/W
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICES
ICES
IB
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
TEST CONDITIONS
VCE=6.0V
VCE=6.0V, TA=65
o
C
VCE=6.0V, VEB=0
IC=100
μ
A
IC=10mA
IE=100
μ
A
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA, TA=65
o
C
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=0.3V, IC=10mA
MIN
MAX
10
10
10
UNITS
nA
μ
A
nA
12
12
4.0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
0.20
0.60
0.25
0.95
1.00
1.50
120
0.75
0.80
30
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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