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參數資料
| 型號： | CMPTA06 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 121K |
| 代理商： | CMPTA06 |
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Peak Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
IBM
PD
80
80
4.0
500
100
200
350
V
V
V
mA
mA
mA
mW
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICBO
ICBO
ICEO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
fT
VCB=80V
VCB=80V, TA=150°C
VCE=60V
IC=1.0mA
IE=100μA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=2.0V, IC=10mA, f=100MHz (CMPTA06)
VCE=1.0V, IC=100mA, f=100MHz(CMPTA56)
100
20
100
nA
μA
nA
V
V
V
V
80
4.0
0.25
1.20
100
100
100
50
MHz
MHz
CMPTA06 NPN
CMPTA56 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
SOT-23 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R5 (13-November 2002)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA06,
CMPTA56 types are complementary silicon
transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for small signal general
purpose and switching applications.
MARKING CODES: CMPTA06 : C1G
CMPTA56 : C2G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMPTA56 | SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| CMPTA42 | SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| CMPTA42NPN | SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| CMPTA92PNP | SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| CMPZ4101 | CAP 470PF 100V +50-20% NP0(C0G) SMD-1206 SN100 TR-7-PL FEED-THRU |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CMPTA06 T&R LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMPTA06 TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMPTA06 Series 80 V 500 mA Complementary Silicon Transistor - SOT-23-3 |
| CMPTA06TR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN 80V 500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMPTA13 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN GP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| CMPTA13 TR | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:Transistors Darlington NPN GP Darlington |
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