型號: | CY62157ELL-55BVXE |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
中文描述: | 512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48 |
封裝: | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48 |
文件頁數: | 1/12頁 |
文件大小: | 530K |
代理商: | CY62157ELL-55BVXE |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CY62157ELL-55ZSXE | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
CY62158CV25 | 1024K x 8 MoBL Static RAM |
CY62158CV25LL-70BAI | 1024K x 8 MoBL Static RAM |
CY62158CV30 | 1024K x 8 MoBL Static RAM |
CY62158CV30LL-55BAI | 1024K x 8 MoBL Static RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CY62157ELL-55BVXET | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY62157ELL-55ZSXE | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY62157ELL-55ZSXEKJ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
CY62157ELL-55ZSXET | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY62157ESL-45ZSXI | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M MOBL ULTRA LO PWR HIGH SPEED ASYNC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |