型號: | CY7C131-15NC |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | CAP 10UF 63V ELECT EB RADIAL |
中文描述: | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP52 |
封裝: | PLASTIC, QFP-52 |
文件頁數: | 1/16頁 |
文件大小: | 305K |
代理商: | CY7C131-15NC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C141-15NC | 1K x 8 Dual-Port Static Ram |
CY7C1312AV18 | 18-Mb QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb QDR-II SRAM(2-Word Burst結構)) |
CY7C1312BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb QDR-II SRAM(2-Word Burst結構)) |
CY7C1327F-100AC | 4-Mb (256K x 18) Pipelined Sync SRAM |
CY7C1327F-225AC | 4-Mb (256K x 18) Pipelined Sync SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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CY7C131-15NXI | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Kx8 15ns 8Kb DUAL PORT 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1311CV18-200BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx8 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1311CV18-250BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx8 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1311KV18-250BZC | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx8 250MHz QDR II QDR II + 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1311SV18-250BZC | 功能描述:IC SRAM 2MX8 QDRII 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |