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DFE252012F-R47M=P2

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說明
操作

DFE252012F-R47M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R82M=P2 DFE252012P-1R0M=P2 DFE252012P-1R5M=P2 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2 DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2

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DFE252012F-R47M=P2 PDF下載

功能描述
470nH Shielded Inductor 4.9A 23 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012F
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
類型
-
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
470nH
容差
±20%
額定電流
4.9A
電流 - 飽和值
7.4A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
23 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.047"（1.20mm）
標準包裝
1

DFE252012F-R47M=P2 技術參數

DFE252012F-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Inductor 5.1A 19 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:330nH 容差:±20% 額定電流:5.1A 電流 - 飽和值:8.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:19 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012F-8R2M=P2 功能描述:8.2μH Shielded Inductor 1.1A 410 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:410 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012F-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Inductor 1.2A 330 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.9A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:330 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012F-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.5A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:190 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012F-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Inductor 1.8A 135 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:135 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3