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DMP3020LSSDI

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DMP3020LSSDI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
DIODES
SOP-8
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

DMP3020LSSDICT-ND
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
880
DIGI-KEY
SOP8
2010+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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1

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DMP3020LSSDI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DMP3020LSSDI 技術(shù)參數(shù)

DMP22M2UPS-13 功能描述:MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:476nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12826pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PowerDI5060-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:54 毫歐 @ 2.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN2015H4-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.7A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:48.7nC @ 8V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 6.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:U-DFN2020-6（E 類）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 DMP1555UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.84nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:55.4pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP3028LK3Q-13 DMP3028LPSQ-13 DMP3028LSD-13 DMP3030SN-7 DMP3035LSS-13 DMP3035SFG-7 DMP3036SFG-13 DMP3036SFG-7 DMP3036SFV-13 DMP3036SFV-7 DMP3036SSD-13 DMP3036SSS-13 DMP3037LSS-13 DMP3048LSD-13 DMP3050LSS-13 DMP3050LVT-7 DMP3056L-13 DMP3056L-7