型號: | D15XB80 |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-4 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 152K |
代理商: | D15XB80 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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D2SB60A | 1.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
D44C1 | 4 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
D44H10J69Z | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
D44H5 | 10 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
D44VM4-DR6274 | 8 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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D15XB80-4000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
D15XB80-4101 | 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
D15XB80-7000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
D15XB80-7101 | 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
D15XBN20 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:SBD Bridge Diode |