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參數資料
| 型號： | D2008UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(5W-28V-400MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(5W-28V-400MHz,單端式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應管（號5W - 28V的，400MHz的單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場效應管（號5W - 28V的，400MHz的單端式）） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | D2008UK |
D2008UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 3/97
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
29W
65V
±20V
2A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
(0.89
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
5.08 (0.200)
typ.
45
12.70
(0.500)
min.
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
dia.
1
2
3
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
5W – 28V – 400MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND
APPLICATIONS
LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
VHF COMMUNICATIONS
from DC to 400MHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
TO-39 PACKAGE
PIN2 – GATE
PIN1 – DRAIN
PIN3 – SOURCE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D2008 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2008UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D200LC40B | Super Fast Recovery Rectifiers(400V 200A) |
| D2010UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-28V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(20W-28V-1GHz,單端式)) |
| D2010 | METAL GATE RF SILICON FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| D2009 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2 X 15V |
| D2009 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2X 15V |
| D20092-3 | 制造商:HYDAIR 功能描述: 制造商:HYDRO-AIRE INC 功能描述: |
| D2009UK | 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| D200D3SH | 制造商:American Electronic Components Inc 功能描述:LIQUID LEVEL SENSOR, Output Current:10mA, Sensor Output:Digital, Supply Voltage |
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