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參數(shù)資料
型號: D2011UK
英文描述: Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(10W-28V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(10W-28V-1GHz,單端式))
中文描述: 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應(yīng)管(10W的- 28V的- 1GHz的,單端)(鍍金多用的DMOS射頻硅場效應(yīng)管(10W的- 28V的- 1GHz的,單端式))
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代理商: D2011UK
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D2011 METAL GATE RF SILICON FET
D2011UK METAL GATE RF SILICON FET
D2012UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(10W-28V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(10W-28V-1GHz,單端式))
D2012UK METAL GATE RF SILICON FET
D2012 Si NPN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
D2012 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2 X 8V
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D2012UK 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETRFN CHSE28V10W1000MHZDP 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,RF,N CH,SE,28V,10W,1000MHZ,DP 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
D2013 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2 X 9V
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