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參數資料
型號: D2212UK
英文描述: Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(10W-12.5V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(10W-12.5V-1GHz,單端式))
中文描述: 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應管(功率10W - 12.5V - 1GHz的,單端)(鍍金多用的DMOS射頻硅場效應管(功率10W - 12.5V - 1GHz的,單端式))
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 15K
代理商: D2212UK
D2212UK
Prelim. 12/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
42W
40V
±20V
4A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
G
K
M
J
I
E
D
(2 pls)
C
N
(typ)
A
B
F
(2 pls)
H
1
2
3
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
10W – 12.5V – 1GHz
SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
DP
PIN 1
SOURCE
PIN 2
DRAIN
PIN 3
GATE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
VHF/UHF COMMUNICATIONS
from DC to 2 GHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
16.51
6.35
45°
3.30
18.92
1.52
2.16
14.22
1.52
6.35
0.13
5.08
1.27 x 45°
Tol.
0.25
0.13
0.13
0.08
0.13
0.13
0.08
0.13
0.13
0.03
0.51
0.13
Inches
0.650
0.250
45°
0.130
0.745
0.060
0.085
0.560
0.060
0.250
0.005
0.200
0.050 x 45° 0.005
Tol.
0.010
0.005
0.005
0.003
0.005
0.005
0.003
0.005
0.005
0.001
0.020
相關PDF資料
PDF描述
D2212 METAL GATE RF SILICON FET
D2212UK METAL GATE RF SILICON FET
D2213UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-12.5V-1GHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(20W-12.5V-1GHz,推拉式))
D2213 METAL GATE RF SILICON FET
D2213UK METAL GATE RF SILICON FET
相關代理商/技術參數
參數描述
D2213 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:METAL GATE RF SILICON FET
D2213UK 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
D22149-000 制造商:TE Connectivity 功能描述:CHA-0311
D2214UK 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
D221-5 1/2C 制造商:Klein Tools Inc 功能描述:Pliers
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