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參數(shù)資料
型號: D2213UK
英文描述: Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-12.5V-1GHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(20W-12.5V-1GHz,推拉式))
中文描述: 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應(yīng)管(20瓦- 12.5V - 1GHz的,推挽式)(鍍金多用的DMOS射頻硅場效應(yīng)管(20瓦- 12.5V - 1GHz的,推拉式))
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代理商: D2213UK
LAB
SEME
D2213UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 2/96
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
* Per Side
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage *
Gate – Source Breakdown Voltage *
Drain Current *
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
83W
40V
±20V
8A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
F
A
C
B
(
2 pls
)
K
2
3
E
1
G
(
4 pls
)
5
4
D
N
M
J
I
H
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
20W – 12.5V – 1GHz
PUSH–PULL
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
VERY LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
DK
PIN 1
SOURCE (COMMON)
PIN 3
DRAIN 2
PIN 5
GATE 1
PIN 2
DRAIN 1
PIN 4
GATE 2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1MHz to 2 GHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
6.45
1.65R
45°
16.51
6.47
18.41
1.52
4.82
24.76
1.52
0.81R
0.13
2.16
Tol.
0.13
0.13
0.76
0.13
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
0.13
0.02
0.13
Inches
0.254
0.065R
45°
0.650
0.255
0.725
0.060
0.190
0.975
0.060
0.032R
0.005
0.085
Tol.
0.005
0.005
0.03
0.005
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.001
0.005
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PDF描述
D2213 METAL GATE RF SILICON FET
D2213UK METAL GATE RF SILICON FET
D2214UK TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-391BVAR
D2218UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-12.5V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(20W-12.5V-1GHz,單端式))
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參數(shù)描述
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D221-5 1/2C 制造商:Klein Tools Inc 功能描述:Pliers
D221-51/2C 制造商:Klein Tools Inc 功能描述:Long-Nose Pliers, Slim, Side Cutters
D2216UK 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
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