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參數資料
| 型號： | DD261N |
| 英文描述： | SCR / Diode Modules |
| 中文描述： | SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | DD261N |
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD261N
BIP AC / 87-08-21, K.Spec
A20/87
1/9
Seite/page
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
DD261N
DD260N..K..-A
DD260N..K..-K
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
2000
2400
2100
2500
2200
2600
V
V
V
V
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
2300
2700
410 A
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 100°C
I
FAVM
260 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
9.500
8.300
A
A
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I2t
451.000
344.000
A2s
A2s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
,
F
= 800 A
v
F
max.
1,42 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,7 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,68 m
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
40 mA
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
3,6
3,0
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module,
Θ
= 180° sin
pro Zweig / per arm,
Θ
= 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,085
0,170
0,082
0,164
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
max.
0,02
0,04
°C/W
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
- 40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
- 40...+150 °C
prepared by: C. Drilling
date of publication:
14.08.03
approved by: M.Leifeld
revision:
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DD285N | SCR / Diode Modules |
| DD28F032SA-070 | 32-MBIT (2 MBIT X 16, 4 MBIT X 8) FlashFile⑩ MEMORY |
| DD28F032SA-080 | 32-MBIT (2 MBIT X 16, 4 MBIT X 8) FlashFile⑩ MEMORY |
| DD28F032SA-100 | 32-MBIT (2 MBIT X 16, 4 MBIT X 8) FlashFile MEMORY |
| DD28F032SA-150 | 32-MBIT (2 MBIT X 16, 4 MBIT X 8) FlashFile⑩ MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DD261N20K | 功能描述:分立半導體模塊 2000V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| DD261N21K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| DD261N22K | 功能描述:分立半導體模塊 2200V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| DD261N23K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| DD261N24K | 功能描述:分立半導體模塊 2400V 410A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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