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參數資料
| 型號： | DG648BH45 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Gate Turn-off Thyristor |
| 中文描述： | 1169.65 A, 4500 V, GATE TURN-OFF SCR |
| 封裝： | H, 4 PIN |
| 文件頁數： | 5/19頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | DG648BH45 |
DG648BH45
5/19
Fig.3 Maximum dependence of I
TCM
on C
S
Fig.4 Maximum (limit) transient thermal impedance - double side cooled
Fig.5 Surge (non-repetitive) on-state current vs time
0
1.0
Snubber capacitance C
S
- (μF)
2.0
3.0
4.0
0
1000
2000
3000
M
c
T
Conditions:
T
j
= 125
C, V
= V
DRM
,
dI
GQ
/dt = 40A/μs
0
0.005
0.010
0.015
0.020
0.001
0.01
0.1
1.0
10
Time - (s)
T
C
dc
0
10
20
30
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
Pulse duration - (s)
P
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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