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參數(shù)資料
| 型號： | DIM200PHM33-F |
| 英文描述： | IGBT Modules - Half Bridge |
| 中文描述： | IGBT模塊-半橋 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | DIM200PHM33-F |
DIM200BSS12-A000
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
7/9
Fig. 7 Diode typical forward characteristics
Fig. 8 Reverse bias safe operating area
Fig. 9 Diode reverse bias safe operating area
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Forward voltage, V
F
- (V)
F
F
V
F
is measured at power busbars
and not the auxiliary terminals
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector emitter voltage, V
ce
- (V)
C
C
T
case
= 125
C
V
ge
= 15V
R
g
= 4.7 Ohms
Module I
C
Chip I
C
0
50
100
150
200
250
300
0
200
400
Reverse voltage, V
R
- (V)
600
800
1000
1200
1400
R
r
T
case
=125C
Fig. 10 Transient thermal impedance
1
10
100
1000
0.001
0.01
1
0.1
10
Pulse width, t
p
- (s)
T
t
°
C
Diode
Transistor
IGBT
Diode
R
i
(C/KW)
τ
i
(ms)
R
i
(C/KW)
τ
i
(ms)
1
2.10
0.11
4.49
0.10
2
11.62
3.14
25.28
3.21
3
43.85
45.60
74.24
38.58
4
29.53
143.02
90.03
113.97
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