| 型號： | DMG6602SVT-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫歐 @ 3.1A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.12W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TSOT-23-6 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | DMG6602SVT-7DIDKR |