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參數資料
型號: DMG6602SVT-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 9/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
標準包裝: 1
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 3.4A,2.8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫歐 @ 3.1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 15V
功率 - 最大: 1.12W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝: TSOT-23-6
包裝: 標準包裝
其它名稱: DMG6602SVT-7DIDKR
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