| 型號： | DMN2005LP4K-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
| 其它圖紙： | DFN1006H4-3 Side DFN1006H4-3 Bottom |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 歐姆 @ 10mA，4V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 100µA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 41pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 3-XFDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | DMN2005LP4KDIDKR |