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參數資料
型號: DMN2005LP4K-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 6/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
其它圖紙: DFN1006H4-3 Side
DFN1006H4-3 Bottom
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 歐姆 @ 10mA,4V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 100µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 41pF @ 3V
功率 - 最大: 200mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-XFDFN
供應商設備封裝: 3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN2005LP4KDIDKR
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