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參數資料
型號: DMN3200U-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 2/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
產品變化通告: Encapsulate Change 15/May/2008
Copper Bond Wire Change 3/May/2011
標準包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.2A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫歐 @ 2.2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 290pF @ 10V
功率 - 最大: 650mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝: SOT-23-3
包裝: 帶卷 (TR)
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