| 型號(hào)： | DMN3200U-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| 產(chǎn)品變化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫歐 @ 2.2A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 650mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-23-3 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |