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參數資料
| 型號： | DS1350BL-70-IND |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | DS1350BL-70-IND |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1350WP-150 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1350YL-100 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1350YL-100-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1350YL-70 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1350YL-70-IND | NVRAM (Battery Based) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DS1350W | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1350W-150 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1350WP-100 | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1350WP-100+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1350WP-100IND | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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