分離式半導體產(chǎn)品 SI5858DU-T1-E3品牌、價格、PDF參數(shù)
SI5858DU-T1-E3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| SI5858DU-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
0 |
|
| IRFU4105ZTR |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK |
0 |
2,000:$0.54040
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| IRFU4105ZTRL |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK |
0 |
3,000:$0.54040
|
| IRFU4105ZTRR |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK |
0 |
3,000:$0.54040
|
| SIA443DJ-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 |
0 |
|
| SIA810DJ-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
0 |
|
| SIA810DJ-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
0 |
|
| SIA810DJ-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
0 |
|
| IRC530PBF |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5 |
0 |
|
| SIB412DK-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
0 |
|
| SIB412DK-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
0 |
|
SI5858DU-T1-E3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
二極管（隔離式）
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
6A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
39 毫歐 @ 4.4A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
16nC @ 8V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
520pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
8.3W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
PowerPAK? CHIPFET? 雙
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| 供應商設備封裝: |
PowerPAK? ChipFet 雙
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| 包裝: |
Digi-Reel®
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